據電子時報6月5日報道，富士康旗下的子公司成功制造出中國臺灣地區首片8英寸SiC（碳化硅）晶圓。由于SiC材料晶體生長難度大、材質硬導致切割困難，因此此前該公司僅有能力制造最大6英寸的SiC晶圓。

由于半導體芯片的形狀為矩形，而晶圓為圓形，因此晶圓的面積越大，利用率越高，就能切割出更多的芯片。因此，不論是單晶硅還是碳化硅，使用大尺寸晶圓/襯底制造芯片，有助于芯片廠商降低成本。

目前全球碳化硅產品比較緊缺，新能源電動汽車逐漸從IGBT轉向更高端的SiC MOSFET，增大了碳化硅芯片的需求。該領域眾多公司，都在積極尋求穩定的SiC襯底供應來源。

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富怡達超聲波精密清洗裝備主要應用于藍寶石(Al2O3)、硅(Si)、碳化硅(SiC)、氮化鎵(GaN)、砷化鎵(GaAs)、氮化鋁(AlN)等襯底材料切割、研磨、拋光、貼片、退火前后、去蠟等工序間清洗。